CJD200 Todos los transistores

 

CJD200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJD200
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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CJD200 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:419K  central
 cjd200-cjd210.pdf pdf_icon

CJD200

CJD200 NPNCJD210 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERDPAK TRANSISTOR CASEMAXIMUM RATINGS: (TC=25C unless otherwise

 9.1. Size:193K  cdil
 cjd204r.pdf pdf_icon

CJD200

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204RPin Configurations:-TO-251Pin 1 :- EmitterI PAK Plastic PackagePin 2 :- Collector Pin 3 :- BaseABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5

Otros transistores... CIL931 , CIL932 , CIL997 , CJD112 , CJD117 , CJD122 , CJD127 , CJD13003 , D965 , CJD210 , CJD2955 , CJD3055 , CJD31C , CJD32C , CJD340 , CJD350 , CJD41C .

History: 3CG1979S | 2SC4050 | 2SA111 | ZTX213M

 

 
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