CJD200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJD200

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 65 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: DPAK

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CJD200 datasheet

 0.1. Size:419K  central
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CJD200

CJD200 NPN CJD210 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORS types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER DPAK TRANSISTOR CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unless otherwise

 9.1. Size:193K  cdil
 cjd204r.pdf pdf_icon

CJD200

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204R Pin Configurations - TO-251 Pin 1 - Emitter I PAK Plastic Package Pin 2 - Collector Pin 3 - Base ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5

Otros transistores... CIL931, CIL932, CIL997, CJD112, CJD117, CJD122, CJD127, CJD13003, NJW0281G, CJD210, CJD2955, CJD3055, CJD31C, CJD32C, CJD340, CJD350, CJD41C