Справочник транзисторов. CJD200

 

Биполярный транзистор CJD200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CJD200
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: DPAK
 

 Аналог (замена) для CJD200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD200 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:419K  central
 cjd200-cjd210.pdf pdf_icon

CJD200

CJD200 NPNCJD210 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERDPAK TRANSISTOR CASEMAXIMUM RATINGS: (TC=25C unless otherwise

 9.1. Size:193K  cdil
 cjd204r.pdf pdf_icon

CJD200

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204RPin Configurations:-TO-251Pin 1 :- EmitterI PAK Plastic PackagePin 2 :- Collector Pin 3 :- BaseABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5

Другие транзисторы... CIL931 , CIL932 , CIL997 , CJD112 , CJD117 , CJD122 , CJD127 , CJD13003 , D965 , CJD210 , CJD2955 , CJD3055 , CJD31C , CJD32C , CJD340 , CJD350 , CJD41C .

History: BCW82 | AC504 | TN2894 | DTC124ES3 | BFT91 | 2SB333 | D7ST4513

 

 
Back to Top

 


 
.