CJD200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJD200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для CJD200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD200 даташит

 0.1. Size:419K  central
 cjd200-cjd210.pdf pdf_icon

CJD200

CJD200 NPN CJD210 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORS types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER DPAK TRANSISTOR CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unless otherwise

 9.1. Size:193K  cdil
 cjd204r.pdf pdf_icon

CJD200

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204R Pin Configurations - TO-251 Pin 1 - Emitter I PAK Plastic Package Pin 2 - Collector Pin 3 - Base ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 60 V VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5

Другие транзисторы: CIL931, CIL932, CIL997, CJD112, CJD117, CJD122, CJD127, CJD13003, NJW0281G, CJD210, CJD2955, CJD3055, CJD31C, CJD32C, CJD340, CJD350, CJD41C