Биполярный транзистор CJD200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CJD200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: DPAK
CJD200 Datasheet (PDF)
cjd200-cjd210.pdf
CJD200 NPNCJD210 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD200, CJD210 POWER TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERDPAK TRANSISTOR CASEMAXIMUM RATINGS: (TC=25C unless otherwise
cjd204r.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON POWER TRANSISTOR CJD204RPin Configurations:-TO-251Pin 1 :- EmitterI PAK Plastic PackagePin 2 :- Collector Pin 3 :- BaseABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050