CL100 Todos los transistores

 

CL100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CL100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO39

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CL100 Datasheet (PDF)

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CL100

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPN CK100, A, B PNP TO-39 Metal Can Package Medium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Co

 0.1. Size:221K  cdil
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CL100

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPN CK100S PNP TO-39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current ICM 1.0 A Power Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mW De

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History: 2SD234Y | 2SD1990 | RN1601 | 2SC3750N | 2SC4135 | TI430 | NB122HI

 

 
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