D1666 Todos los transistores

 

D1666 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D1666
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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D1666 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:30K  sanyo
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D1666

Ordering number : ENN3031A2SB1133 / 2SD1666PNP / NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors2SB1133 / 2SD1666Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Wide ASO(Adoption of MBIT process).unit : mm Micaless package facilitating easy mounting.2041A High reliability.[2SB1133 / 2SD1666]4.510.02.83.22.41.61.20.7

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
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D1666

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1666DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB1133Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXI

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History: ZXTP558L | ZXTP25040DZ

 

 
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