D1666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D1666  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D1666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D1666 даташит

 0.1. Size:30K  sanyo
 2sb1133 2sd1666.pdf pdf_icon

D1666

Ordering number ENN3031A 2SB1133 / 2SD1666 PNP / NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB1133 / 2SD1666 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions Wide ASO(Adoption of MBIT process). unit mm Micaless package facilitating easy mounting. 2041A High reliability. [2SB1133 / 2SD1666] 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd1666.pdf pdf_icon

D1666

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1666 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB1133 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: D11E406, D11E407, D12E026, D12E109, D12E126, D12X043, D12X047, D150, MJE340, D16E7, D16E9, D16G6, D16K1, D16K2, D16K3, D16K4, D16P1