Справочник транзисторов. D1666

 

Биполярный транзистор D1666 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D1666
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для D1666

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D1666 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:30K  sanyo
 2sb1133 2sd1666.pdf pdf_icon

D1666

Ordering number : ENN3031A2SB1133 / 2SD1666PNP / NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors2SB1133 / 2SD1666Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Wide ASO(Adoption of MBIT process).unit : mm Micaless package facilitating easy mounting.2041A High reliability.[2SB1133 / 2SD1666]4.510.02.83.22.41.61.20.7

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd1666.pdf pdf_icon

D1666

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1666DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB1133Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы... D11E406 , D11E407 , D12E026 , D12E109 , D12E126 , D12X043 , D12X047 , D150 , 2SA1837 , D16E7 , D16E9 , D16G6 , D16K1 , D16K2 , D16K3 , D16K4 , D16P1 .

 

 
Back to Top

 


 
.