Биполярный транзистор D1666 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D1666
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO92
D1666 Datasheet (PDF)
2sb1133 2sd1666.pdf
Ordering number : ENN3031A2SB1133 / 2SD1666PNP / NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors2SB1133 / 2SD1666Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Wide ASO(Adoption of MBIT process).unit : mm Micaless package facilitating easy mounting.2041A High reliability.[2SB1133 / 2SD1666]4.510.02.83.22.41.61.20.7
2sd1666.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1666DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB1133Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050