D40N2 Todos los transistores

 

D40N2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D40N2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO202
 

 Búsqueda de reemplazo de D40N2

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

D40N2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:917K  st
 std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf pdf_icon

D40N2

STD40N2LH5STU40N2LH5N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A332 RDS(on) * Qg industry benchmark11 Extremely low on-resistance RDS(on)DPAKIPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

 0.2. Size:1084K  cn minos
 md40n25.pdf pdf_icon

D40N2

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtainedby advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy.The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.General FeaturesV =250V, R

Otros transistores... D40E5-6 , D40E6 , D40E7 , D40K1 , D40K2 , D40K3 , D40K4 , D40N1 , BC549 , D40N3 , D40N4 , D40N5 , D40NU1 , D40NU2 , D40NU3 , D40NU4 , D40NU5 .

History: RCP131B | RCP111A | BF140S | RCP131C | FCX596 | 2SB1195 | D40E5-6

 

 
Back to Top

 


 
.