D40N2 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

D40N2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: D40N2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналоги (замена) для D40N2

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40N2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:917K  st
 std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf pdf_icon

D40N2

STD40N2LH5STU40N2LH5N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A332 RDS(on) * Qg industry benchmark11 Extremely low on-resistance RDS(on)DPAKIPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

 0.2. Size:1084K  cn minos
 md40n25.pdf pdf_icon

D40N2

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtainedby advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy.The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.General FeaturesV =250V, R

Другие транзисторы... D40E5-6 , D40E6 , D40E7 , D40K1 , D40K2 , D40K3 , D40K4 , D40N1 , BC549 , D40N3 , D40N4 , D40N5 , D40NU1 , D40NU2 , D40NU3 , D40NU4 , D40NU5 .

History: 2SC1943 | FCX589

 

 
Back to Top

 


 
.