D40N2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D40N2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для D40N2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40N2 даташит

 0.1. Size:917K  st
 std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf pdf_icon

D40N2

STD40N2LH5 STU40N2LH5 N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A 3 3 2 RDS(on) * Qg industry benchmark 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) DPAK IPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

 0.2. Size:1084K  cn minos
 md40n25.pdf pdf_icon

D40N2

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =250V, R

Другие транзисторы: D40E5-6, D40E6, D40E7, D40K1, D40K2, D40K3, D40K4, D40N1, TIP2955, D40N3, D40N4, D40N5, D40NU1, D40NU2, D40NU3, D40NU4, D40NU5