D40P1 Todos los transistores

 

D40P1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D40P1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202

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D40P1 Datasheet (PDF)

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 sqd40p10-40l.pdf

D40P1 D40P1

SQD40P10-40Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.040 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 38 100 % Rg and

 0.2. Size:2116K  winsok
 wsd40p10dn56.pdf

D40P1 D40P1

WSD40P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD40P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 78m -30Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD40P10DN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Sy

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History: KST4403 | 40323 | KRC823F | KRC821F | 3DA5E

 

 
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