Справочник транзисторов. D40P1

 

Биполярный транзистор D40P1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D40P1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для D40P1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40P1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:171K  vishay
 sqd40p10-40l.pdf pdf_icon

D40P1

SQD40P10-40Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.040 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 38 100 % Rg and

 0.2. Size:2116K  winsok
 wsd40p10dn56.pdf pdf_icon

D40P1

WSD40P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD40P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 78m -30Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD40P10DN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Sy

Другие транзисторы... D40N3 , D40N4 , D40N5 , D40NU1 , D40NU2 , D40NU3 , D40NU4 , D40NU5 , A1266 , D40P2 , D40P3 , D40P4 , D40P5 , D40PU1 , D40PU2 , D40PU3 , D40PU4 .

History: KT9116B

 

 
Back to Top

 


 
.