D40P1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D40P1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для D40P1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40P1 даташит

 0.1. Size:171K  vishay
 sqd40p10-40l.pdf pdf_icon

D40P1

SQD40P10-40L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.040 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 38 100 % Rg and

 0.2. Size:2116K  winsok
 wsd40p10dn56.pdf pdf_icon

D40P1

WSD40P10DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD40P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 78m -30A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD40P10DN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Sy

Другие транзисторы: D40N3, D40N4, D40N5, D40NU1, D40NU2, D40NU3, D40NU4, D40NU5, TIP142, D40P2, D40P3, D40P4, D40P5, D40PU1, D40PU2, D40PU3, D40PU4