DT1003 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DT1003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 36
Encapsulados: TO5
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DT1003 datasheet
mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf
Green Product MPG100N06 60VN-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100A DS D The MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R
Otros transistores... DPT124, DPT2600, DQN1006, DR42R2-126, DR42R2-220, DT100-1000, DT100-1100, DT100-1200, TIP41, DT100-800, DT100-900, DT1110, DT1111, DT1112, DT1120, DT1121, DT1122
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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