DT1003 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DT1003 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DT1003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 36
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналоги (замена) для DT1003

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT1003 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

DT1003

Green ProductMPG100N0660VN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100ADS DThe MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие транзисторы... DPT124 , DPT2600 , DQN1006 , DR42R2-126 , DR42R2-220 , DT100-1000 , DT100-1100 , DT100-1200 , 13007 , DT100-800 , DT100-900 , DT1110 , DT1111 , DT1112 , DT1120 , DT1121 , DT1122 .

History: BFT98T | TIP31E | D39C4 | DC5416 | 2SC5523 | BCW60C | MPS3644

 

 
Back to Top

 


 
.