DT1003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DT1003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 36

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для DT1003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT1003 даташит

 9.1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

DT1003

Green Product MPG100N06 60VN-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100A DS D The MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие транзисторы: DPT124, DPT2600, DQN1006, DR42R2-126, DR42R2-220, DT100-1000, DT100-1100, DT100-1200, TIP41, DT100-800, DT100-900, DT1110, DT1111, DT1112, DT1120, DT1121, DT1122