2N3500S Todos los transistores

 

2N3500S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3500S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO31
 

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2N3500S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:67K  central
 2n3500-2n3501.pdf pdf_icon

2N3500S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:310K  cdil
 2n3498 99 2n3500 01.pdf pdf_icon

2N3500S

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N3498, 2N3499, 2N3500, 2N3501TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION 2N3498 2N3500 UNITS2N3499 2N3501VCEOCollector Emitter Voltage 100 150 VVCBOCollector Base Voltage 100

 8.3. Size:106K  microsemi
 2n3500l.pdf pdf_icon

2N3500S

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501JANSD 10K Rads (Si) 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501LJANSP 30K Rads (Si)

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History: 2N2894AC1B | 2N2816

 

 
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