Биполярный транзистор 2N3500S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3500S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO31
2N3500S Datasheet (PDF)
2n3500-2n3501.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n3498 99 2n3500 01.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N3498, 2N3499, 2N3500, 2N3501TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION 2N3498 2N3500 UNITS2N3499 2N3501VCEOCollector Emitter Voltage 100 150 VVCBOCollector Base Voltage 100
2n3500l.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501JANSD 10K Rads (Si) 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501LJANSP 30K Rads (Si)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050