DTB114ES Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTB114ES

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SC72

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DTB114ES datasheet

 ..1. Size:61K  rohm
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Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTB114EK / DTB114ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow positive biasing of the input. They

 7.1. Size:26K  motorola
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

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