Справочник транзисторов. DTB114ES

 

Биполярный транзистор DTB114ES Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTB114ES
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTB114ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  rohm
dtb114ek dtb114es.pdfpdf_icon

DTB114ES

TransistorsDigital transistors (built-in resistors)DTB114EK / DTB114ESFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Built-in bias resistors enable theconfiguration of an inverter circuitwithout connecting external inputresistors (see equivalent circuit).2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isola-tion to allow positive biasing of theinput. They

 7.1. Size:26K  motorola
pdtb114et p09 sot23.pdfpdf_icon

DTB114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

 7.2. Size:49K  motorola
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

 7.3. Size:49K  philips
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BUV56 | AM1214-325 | 2T7538C | CSA1532C | BC427 | AC194-8 | DMC9610E

 

 
Back to Top

 


 
.