EMB75 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMB75
   Código: B75
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC-107C

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar EMB75

EMB75 Datasheet (PDF)

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emb75.pdf

EMB75DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC-50VIC(MAX.)-100mA R14.7kEMB75R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA043Z chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminati

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRX103E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050