EMB75 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB75

Маркировка: B75

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB75

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB75 даташит

 ..1. Size:694K  rohm
 emb75.pdf pdf_icon

EMB75

EMB75 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 4.7k EMB75 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA043Z chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminati

Другие транзисторы: DTC143XKA, DTC143XSA, DTC143ZCA, EMC2DXV5, DTC143ZKA, DTC143ZSA, DTC143ZUA, DTC144ECA, BD222, DTC144EKA, DTC144EUA, EMB6FHA, DTC144GKA, DTC144GSA, DTC144GUA, EMB61, DTC144TKA