EMB3FHA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMB3FHA

Código: B3

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC-107C

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EMB3FHA datasheet

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EMB3FHA

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

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