EMB3FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB3FHA

Маркировка: B3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB3FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB3FHA даташит

 ..1. Size:1266K  rohm
 emb3fha umb3nfha imb3afra.pdf pdf_icon

EMB3FHA

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

 ..2. Size:1266K  rohm
 emb3fha.pdf pdf_icon

EMB3FHA

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

Другие транзисторы: EMB6, DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, D882, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU