Справочник транзисторов. EMB3FHA

 

Биполярный транзистор EMB3FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMB3FHA
   Маркировка: B3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMB3FHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB3FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1266K  rohm
emb3fha umb3nfha imb3afra.pdfpdf_icon

EMB3FHA

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRAEMB3 / UMB3N / IMB3ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R14.7kWEMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

 ..2. Size:1266K  rohm
emb3fha.pdfpdf_icon

EMB3FHA

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRAEMB3 / UMB3N / IMB3ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R14.7kWEMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

Другие транзисторы... EMB6 , DTC144WKA , DTC144WUA , EMB51 , EMB52 , DTC314TK , EMB53 , DTC314TS , A1941 , EMB4 , EMB4FHA , DTC343TK , EMB3 , DTC343TS , EMB2FHA , DTC363EK , DTC363EU .

 

 
Back to Top

 


 
.