2N3550 Todos los transistores

 

2N3550 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3550
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2N3550 PDF detailed specifications

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2N3550

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3553 Silicon planar epitaxial overlay transistor 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of October 1981 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3553 overlay transistor APPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s... See More ⇒

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2N3550

2N3558 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b... See More ⇒

Otros transistores... 2N3543 , 2N3544 , 2N3545 , 2N3546 , 2N3547 , 2N3548 , 2N3549 , 2N355 , 2SD1047 , 2N3551 , 2N3552 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 .

 

 
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