Биполярный транзистор 2N3550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3550
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO18
2N3550 Datasheet (PDF)
2n3553.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3553Silicon planar epitaxialoverlay transistor1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of October 1981File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3553overlay transistorAPPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s
2n3558.pdf
2N3558Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = dia.IC = 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3 can b
Другие транзисторы... 2N3543 , 2N3544 , 2N3545 , 2N3546 , 2N3547 , 2N3548 , 2N3549 , 2N355 , BC548 , 2N3551 , 2N3552 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050