2N3550 - описание и поиск аналогов

 

2N3550 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N3550
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N3550

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3550 - технические параметры

 9.1. Size:45K  philips
 2n3553.pdf pdf_icon

2N3550

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3553 Silicon planar epitaxial overlay transistor 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of October 1981 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3553 overlay transistor APPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s

 9.2. Size:56K  njs
 2n3555.pdf pdf_icon

2N3550

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3558.pdf pdf_icon

2N3550

2N3558 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

Другие транзисторы... 2N3543 , 2N3544 , 2N3545 , 2N3546 , 2N3547 , 2N3548 , 2N3549 , 2N355 , 2SD1047 , 2N3551 , 2N3552 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 .

 

 
Back to Top

 


 
.