Справочник транзисторов. 2N3550

 

Биполярный транзистор 2N3550 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3550
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N3550 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:45K  philips
 2n3553.pdf pdf_icon

2N3550

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3553Silicon planar epitaxialoverlay transistor1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of October 1981File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3553overlay transistorAPPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s

 9.2. Size:56K  njs
 2n3555.pdf pdf_icon

2N3550

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3558.pdf pdf_icon

2N3550

2N3558Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = dia.IC = 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3 can b

Другие транзисторы... 2N3543 , 2N3544 , 2N3545 , 2N3546 , 2N3547 , 2N3548 , 2N3549 , 2N355 , S9014 , 2N3551 , 2N3552 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 .

History: BC848CW-G | 2SA795A | 2SA815 | RT3YB7M | 2SA1706T-AN | 3DG2413K

 

 
Back to Top

 


 
.