2N3551 Todos los transistores

 

2N3551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 115 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: X21
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N3551

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N3551 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:45K  philips
 2n3553.pdf pdf_icon

2N3551

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3553Silicon planar epitaxialoverlay transistor1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of October 1981File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3553overlay transistorAPPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s

 9.2. Size:56K  njs
 2n3555.pdf pdf_icon

2N3551

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3558.pdf pdf_icon

2N3551

2N3558Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = dia.IC = 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3 can b

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.