2N3551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: X21

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3551 даташит

 9.1. Size:45K  philips
 2n3553.pdf pdf_icon

2N3551

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3553 Silicon planar epitaxial overlay transistor 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of October 1981 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3553 overlay transistor APPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s

 9.2. Size:56K  njs
 2n3555.pdf pdf_icon

2N3551

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3558.pdf pdf_icon

2N3551

2N3558 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

Другие транзисторы: 2N3544, 2N3545, 2N3546, 2N3547, 2N3548, 2N3549, 2N355, 2N3550, 2SC2073, 2N3552, 2N3553, 2N3554, 2N356, 2N3563, 2N3564, 2N3565, 2N3566