2N3552 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3552
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: X21
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3552
2N3552 Datasheet (PDF)
2n3553.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3553Silicon planar epitaxialoverlay transistor1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of October 1981File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3553overlay transistorAPPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s
2n3558.pdf
2N3558Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = dia.IC = 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3 can b
Otros transistores... 2N3545 , 2N3546 , 2N3547 , 2N3548 , 2N3549 , 2N355 , 2N3550 , 2N3551 , 2SA1837 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 , 2N3566 , 2N3567 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050