2N3553 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3553  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO5

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2N3553 datasheet

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2N3553

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3553 Silicon planar epitaxial overlay transistor 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of October 1981 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3553 overlay transistor APPLICATIONS DESCRIPTION The 2N3553 is intended for use in VHF and UHF The device is a s

 9.1. Size:56K  njs
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2N3553

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2N3553

2N3558 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

Otros transistores... 2N3546, 2N3547, 2N3548, 2N3549, 2N355, 2N3550, 2N3551, 2N3552, BC327, 2N3554, 2N356, 2N3563, 2N3564, 2N3565, 2N3566, 2N3567, 2N3568