2N357 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N357  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

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2N357 datasheet

 ..1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N357

 0.1. Size:16K  advanced-semi
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2N357

2N3570 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N3570 is Designed for High Frequency Low Noise Amplifier and Oscillator Applications. PACKAGE STYLE TO- 72 MAXIMUM RATINGS IC 50 mA VCB 30 V VCE 15 V VEB 3.0 V PDISS 200 mW @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR 4 = CASE 500 OC/W JC NONE CHARACTER

Otros transistores... 2N3563, 2N3564, 2N3565, 2N3566, 2N3567, 2N3568, 2N3569, 2N356A, TIP35C, 2N3570, 2N3571, 2N3572, 2N3576, 2N3577, 2N3579, 2N357A, 2N358