2N3571 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3571
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3571
2N3571 Datasheet (PDF)
2n3570.pdf
2N3570NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORDESCRIPTION:The 2N3570 is Designed for HighFrequency Low Noise Amplifier andOscillator Applications.PACKAGE STYLE TO- 72MAXIMUM RATINGSIC 50 mAVCB 30 VVCE 15 VVEB 3.0 VPDISS 200 mW @ TC = 25 OCTJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR 4 = CASE500 OC/WJCNONECHARACTER
Otros transistores... 2N3565 , 2N3566 , 2N3567 , 2N3568 , 2N3569 , 2N356A , 2N357 , 2N3570 , A1013 , 2N3572 , 2N3576 , 2N3577 , 2N3579 , 2N357A , 2N358 , 2N3580 , 2N3581 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050