2N3576 Todos los transistores

 

2N3576 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3576
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N3576 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N3576

 9.2. Size:16K  advanced-semi
 2n3570.pdf pdf_icon

2N3576

2N3570NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORDESCRIPTION:The 2N3570 is Designed for HighFrequency Low Noise Amplifier andOscillator Applications.PACKAGE STYLE TO- 72MAXIMUM RATINGSIC 50 mAVCB 30 VVCE 15 VVEB 3.0 VPDISS 200 mW @ TC = 25 OCTJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR 4 = CASE500 OC/WJCNONECHARACTER

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SB131

 

 
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