2N3576 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3576  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO5

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2N3576 datasheet

 9.1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N3576

 9.2. Size:16K  advanced-semi
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2N3576

2N3570 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N3570 is Designed for High Frequency Low Noise Amplifier and Oscillator Applications. PACKAGE STYLE TO- 72 MAXIMUM RATINGS IC 50 mA VCB 30 V VCE 15 V VEB 3.0 V PDISS 200 mW @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR 4 = CASE 500 OC/W JC NONE CHARACTER

Otros transistores... 2N3567, 2N3568, 2N3569, 2N356A, 2N357, 2N3570, 2N3571, 2N3572, TIP31, 2N3577, 2N3579, 2N357A, 2N358, 2N3580, 2N3581, 2N3582, 2N3583