2N3581 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3581  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO46

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2N3581 datasheet

 9.2. Size:430K  central
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2N3581

2N3583 2N3584 www.centralsemi.com 2N3585 DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 Series types are NPN Silicon Transistors designed for high speed switching and high voltage amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER TO-66 CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C) SYMBOL 2N3583 2N3584 2N3585 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 250 375 500 V Collector-Emitt

 9.3. Size:160K  comset
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2N3581

NPN 2N3583 2N3584 2N3585 NPN SILICON POWER TRANSISTORS. High voltage power transistors designed for industrial and military applications. TO-66 metal case. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit 2N3583 250 VCBO Collector-Base Voltage (IE= 0) 2N3584 330 V 2N3585 440 2N3583 175 VCEO Collector-Emitter Voltage (IB= 0) 2N3584 250 V 2N3585 3

 9.4. Size:224K  bocasemi
2n3583 2n3584 2n3585 2n4240 2n6420 2n6421 2n6422 2n6423.pdf pdf_icon

2N3581

A Boca Semiconductor Corp. http //www.bocasemi.com A http //www.bocasemi.com A http //www.bocasemi.com A http //www.bocasemi.com

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