ESM3030DV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ESM3030DV 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 225 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 100 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: ISOTOP
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ESM3030DV datasheet
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Otros transistores... ESM29, ESM3000, ESM3001, ESM3002, ESM3004, ESM3005, ESM3006, ESM3007, NJW0281G, ESM3045AV, ESM3045DV, ESM400, 3CA200D, 3CA200E, 3CA200F, 3CA2050, 3CA3A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: MUN5116T1G | BLT61
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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