ESM3030DV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ESM3030DV  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: ISOTOP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ESM3030DV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM3030DV даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: ESM29, ESM3000, ESM3001, ESM3002, ESM3004, ESM3005, ESM3006, ESM3007, NJW0281G, ESM3045AV, ESM3045DV, ESM400, 3CA200D, 3CA200E, 3CA200F, 3CA2050, 3CA3A