Биполярный транзистор ESM3030DV Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ESM3030DV
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: ISOTOP
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам