ETP2008 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ETP2008
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 175 V
Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Paquete / Cubierta: TO5
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ETP2008 Datasheet (PDF)
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History: SEBC847BU
History: SEBC847BU



Liste
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