ETP2008 Todos los transistores

 

ETP2008 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ETP2008
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 175 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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ETP2008 Datasheet (PDF)

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History: SEBC847BU

 

 
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