Биполярный транзистор ETP2008 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ETP2008
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам