ETP2008. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ETP2008
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для ETP2008
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ETP2008 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ET701, ET708, ET709, ET710, ET721, ET722, ETG36040C, ETG36040D, B772, ETP3114, ETP3923, ETP5092, ETP5095, EW15X284, EW15X572, EW51, EW53-2
History: ETG36040C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357