F107 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F107

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO62

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F107 datasheet

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F107

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBF107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1998 Mar 06 Product specification Supersedes data of April 1995 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical PMBF107 D-MOS transistor FEATURES PINNING - SOT23 Direct interface to C

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