F107 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F107
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO62
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar F107
F107 Datasheet (PDF)
pmbf107 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBF107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1998 Mar 06Product specificationSupersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalPMBF107D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT23 Direct interface to C
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SB892S | 2N573
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050