Биполярный транзистор F107 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: F107
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO62
F107 Datasheet (PDF)
0.1. Size:59K philips
pmbf107 3.pdf
pmbf107 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBF107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1998 Mar 06Product specificationSupersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalPMBF107D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT23 Direct interface to C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050