Справочник транзисторов. F107

 

Биполярный транзистор F107 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F107
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO62
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

F107 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:59K  philips
pmbf107 3.pdfpdf_icon

F107

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBF107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1998 Mar 06Product specificationSupersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalPMBF107D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT23 Direct interface to C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.