F107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F107

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для F107

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F107 даташит

 0.1. Size:59K  philips
 pmbf107 3.pdf pdf_icon

F107

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBF107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1998 Mar 06 Product specification Supersedes data of April 1995 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical PMBF107 D-MOS transistor FEATURES PINNING - SOT23 Direct interface to C

Другие транзисторы: EW723, EWQ282, F101, F102, F103, F104, F105, F106, 13005, F108, F109, F110, F111, F112, F113, F114, F115