F112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO53
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar F112
F112 Datasheet (PDF)
ssf1122d.pdf
SSF1122D Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20mTyp. High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1122D is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device re
ssf1122.pdf
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History: 2N126
History: 2N126
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050