F112 Todos los transistores

 

F112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO53
 

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F112 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:621K  silikron
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F112

SSF1122D Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20mTyp. High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1122D is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device re

 0.2. Size:621K  silikron
 ssf1122.pdf pdf_icon

F112

SSF1122 Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20mTyp High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1122 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reli

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History: 2SB417 | BD745D | MRF517 | INC6001AC1 | PBSS4350D | BDB02A | BCW92KA

 

 
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