F112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO53

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F112 datasheet

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F112

SSF1122D Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20m Typ. High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1122D is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device re

 0.2. Size:621K  silikron
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F112

SSF1122 Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20m Typ High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1122 is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reli

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