Справочник транзисторов. F112

 

Биполярный транзистор F112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO53
 

 Аналог (замена) для F112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F112 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:621K  silikron
 ssf1122d.pdf pdf_icon

F112

SSF1122D Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20mTyp. High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1122D is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device re

 0.2. Size:621K  silikron
 ssf1122.pdf pdf_icon

F112

SSF1122 Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20mTyp High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1122 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reli

Другие транзисторы... F104 , F105 , F106 , F107 , F108 , F109 , F110 , F111 , D965 , F113 , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A .

History: BD745D | KRA771U | PBSS4350D | INC6001AC1 | BCW92KA | SDT9206 | MRF517

 

 
Back to Top

 


 
.