F112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для F112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F112 даташит

 0.1. Size:621K  silikron
 ssf1122d.pdf pdf_icon

F112

SSF1122D Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20m Typ. High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1122D is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device re

 0.2. Size:621K  silikron
 ssf1122.pdf pdf_icon

F112

SSF1122 Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=110V Ultra low Rdson Rdson=20m Typ High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1122 is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reli

Другие транзисторы: F104, F105, F106, F107, F108, F109, F110, F111, NJW0281G, F113, F114, F115, F116, F117, F117A, F118, F118A