F113 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F113
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO53
Búsqueda de reemplazo de F113
F113 Datasheet (PDF)
draf113z.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF113ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF113ZDRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac
Otros transistores... F105 , F106 , F107 , F108 , F109 , F110 , F111 , F112 , NJW0281G , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A , F119 .
History: 2SC5880 | K2120 | 3N64 | 2SB531 | BC640-10 | BDW73D | 2N2222AE
History: 2SC5880 | K2120 | 3N64 | 2SB531 | BC640-10 | BDW73D | 2N2222AE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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