F113 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F113

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO53

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F113 datasheet

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F113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF113Z DRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

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