Справочник транзисторов. F113

 

Биполярный транзистор F113 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F113
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO53
 

 Аналог (замена) для F113

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F113 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:225K  panasonic
 draf113z.pdf pdf_icon

F113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF113ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF113ZDRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac

Другие транзисторы... F105 , F106 , F107 , F108 , F109 , F110 , F111 , F112 , NJW0281G , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A , F119 .

History: BC640-10 | BDW73D | 2SC5880 | SHA7534 | BUX84 | K2120

 

 
Back to Top

 


 
.