Справочник транзисторов. F113

 

Биполярный транзистор F113 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: F113
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для F113

 

 

F113 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:225K  panasonic
draf113z.pdf

F113
F113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF113ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF113ZDRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top