F113. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F113

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для F113

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F113 даташит

 0.1. Size:225K  panasonic
 draf113z.pdf pdf_icon

F113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF113Z DRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

Другие транзисторы: F105, F106, F107, F108, F109, F110, F111, F112, D965, F114, F115, F116, F117, F117A, F118, F118A, F119