Справочник транзисторов. F113

 

Биполярный транзистор F113 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F113
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO53
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

F113 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:225K  panasonic
 draf113z.pdf pdf_icon

F113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF113ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF113ZDRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 3DF1D | BC231B | 2N2553 | ECG238 | 2SC2947 | DT74-350 | 3DF1F

 

 
Back to Top

 


 
.