F119 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F119
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de F119
F119 Datasheet (PDF)
cep1195 ceb1195 cef1195.pdf
CEP1195/CEB1195 CEF1195N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1195 900V 2.75 5A 10VCEB1195 900V 2.75 5A 10VCEF1195 900V 2.75 5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)
sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf
Otros transistores... F113 , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A , BC549 , F119A , F120 , F120A , F121 , F121A , F122 , F122A , F123 .
History: CV7633 | BD826A
Liste
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