F119 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F119
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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F119 datasheet
cep1195 ceb1195 cef1195.pdf
CEP1195/CEB1195 CEF1195 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP1195 900V 2.75 5A 10V CEB1195 900V 2.75 5A 10V CEF1195 900V 2.75 5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)
sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf
Otros transistores... F113 , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A , 2SD669 , F119A , F120 , F120A , F121 , F121A , F122 , F122A , F123 .
History: 2SB1567 | FM871 | 2SA1521
History: 2SB1567 | FM871 | 2SA1521
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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