F119. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F119

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F119

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F119 даташит

 0.1. Size:432K  cet
 cep1195 ceb1195 cef1195.pdf pdf_icon

F119

CEP1195/CEB1195 CEF1195 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP1195 900V 2.75 5A 10V CEB1195 900V 2.75 5A 10V CEF1195 900V 2.75 5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

 0.2. Size:314K  gdr
 sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119.pdf pdf_icon

F119

 0.3. Size:123K  gdr
 sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf pdf_icon

F119

Другие транзисторы: F113, F114, F115, F116, F117, F117A, F118, F118A, 2SD669, F119A, F120, F120A, F121, F121A, F122, F122A, F123