Справочник транзисторов. F119

 

Биполярный транзистор F119 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F119
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для F119

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F119 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:432K  cet
cep1195 ceb1195 cef1195.pdfpdf_icon

F119

CEP1195/CEB1195 CEF1195N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1195 900V 2.75 5A 10VCEB1195 900V 2.75 5A 10VCEF1195 900V 2.75 5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

 0.2. Size:314K  gdr
sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119.pdfpdf_icon

F119

Другие транзисторы... F113 , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , F118 , F118A , BC549 , F119A , F120 , F120A , F121 , F121A , F122 , F122A , F123 .

History: MRF10150 | BTB1197N3 | 50C02MH | 2SA1720 | FMMT3903R | 2SC3952 | BF306

 

 
Back to Top

 


 
.