2N3634 Todos los transistores

 

2N3634 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3634
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N3634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..2. Size:219K  bocasemi
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Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

 0.1. Size:32K  semelab
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2N3634CSMMECHANICAL DATAPNP SILICON TRANSISTOR IN ADimensions in mm (inches)HERMETICALLY SEALED CERAMICSURFACE MOUNT PACKAGE FOR0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31 HIGH RELIABILITY APPLICATIONSrad.(0.012)3FEATURES21 High Voltage Switching1.91 0.10 Low Power Amplifier Applications(0.075 0.004)A0.31rad. Hermetic Ceramic Surface Mount(0.012)3.

 0.2. Size:227K  microsemi
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

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History: BD649F | SD1272

 

 
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