2N3634 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3634  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N3634 datasheet

 ..1. Size:87K  central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 ..2. Size:219K  bocasemi
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Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com

 0.1. Size:32K  semelab
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2N3634CSM MECHANICAL DATA PNP SILICON TRANSISTOR IN A Dimensions in mm (inches) HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR 0.51 0.10 (0.02 0.004) 0.31 HIGH RELIABILITY APPLICATIONS rad. (0.012) 3 FEATURES 21 High Voltage Switching 1.91 0.10 Low Power Amplifier Applications (0.075 0.004) A 0.31 rad. Hermetic Ceramic Surface Mount (0.012) 3.

 0.2. Size:227K  microsemi
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637 JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637L JANSP 30K Rads (Si)

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