2N3634
. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3634
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1
W
Tensión colector-base (Vcb): 140
V
Tensión colector-emisor (Vce): 140
V
Tensión emisor-base (Veb): 5
V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1
A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200
°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150
MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10
pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta:
TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3634
2N3634
Datasheet (PDF)
..1. Size:87K central
2n3634 2n3635.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..2. Size:219K bocasemi
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Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com
0.1. Size:32K semelab
2n3634csm.pdf
2N3634CSMMECHANICAL DATAPNP SILICON TRANSISTOR IN ADimensions in mm (inches)HERMETICALLY SEALED CERAMICSURFACE MOUNT PACKAGE FOR0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31 HIGH RELIABILITY APPLICATIONSrad.(0.012)3FEATURES21 High Voltage Switching1.91 0.10 Low Power Amplifier Applications(0.075 0.004)A0.31rad. Hermetic Ceramic Surface Mount(0.012)3.
0.2. Size:227K microsemi
2n3634l.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)
0.3. Size:227K microsemi
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