FA1A4M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FA1A4M
Código: L33
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FA1A4M
FA1A4M Datasheet (PDF)
fa1a4m.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORFA1A4MMEDIUM SPEED SWITCHINGRESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTORMINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Resistors Built-in TYPE2.80.2C1.5 0.65+0.10.15BR12R2E31 Complementary to FN1A4MABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)Collector to Base Voltage VCBO 60 VMarkingCollector to Emitter Voltage VCEO
Otros transistores... F123A , F124 , F124A , F2 , F3 , F4 , F5 , FA1A3Q , 2SC5200 , FA1A4P , FA1A4Z , FA1F4M , FA1F4N , FA1F4Z , FA1L3M , FA1L3N , FA1L4L .