FA1A4M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FA1A4M

Código: L33

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: SOT23

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FA1A4M datasheet

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FA1A4M

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR FA1A4M MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD PACKAGE DIMENSIONS FEATURES in millimeters Resistors Built-in TYPE 2.8 0.2 C 1.5 0.65+0.1 0.15 B R1 2 R2 E 3 1 Complementary to FN1A4M ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Collector to Base Voltage VCBO 60 V Marking Collector to Emitter Voltage VCEO

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FA1A4M

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FA1A4M

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