FA1A4M - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор FA1A4M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: FA1A4M
   Маркировка: L33
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для FA1A4M

FA1A4M Datasheet (PDF)

..1. Size:33K nec
fa1a4m.pdf

DATA SHEETSILICON TRANSISTORFA1A4MMEDIUM SPEED SWITCHINGRESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTORMINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Resistors Built-in TYPE2.80.2C1.5 0.65+0.10.15BR12R2E31 Complementary to FN1A4MABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)Collector to Base Voltage VCBO 60 VMarkingCollector to Emitter Voltage VCEO

9.1. Size:149K nec
fa1a4z.pdf