Биполярный транзистор FA1A4M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FA1A4M
Маркировка: L33
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: SOT23
FA1A4M Datasheet (PDF)
..1. Size:33K nec
fa1a4m.pdf
fa1a4m.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORFA1A4MMEDIUM SPEED SWITCHINGRESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTORMINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Resistors Built-in TYPE2.80.2C1.5 0.65+0.10.15BR12R2E31 Complementary to FN1A4MABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)Collector to Base Voltage VCBO 60 VMarkingCollector to Emitter Voltage VCEO
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
