FA1A4P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FA1A4P
Código: L34
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 35
Encapsulados: SOT23
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FA1A4P datasheet
fa1a4m.pdf
DATA SHEET SILICON TRANSISTOR FA1A4M MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD PACKAGE DIMENSIONS FEATURES in millimeters Resistors Built-in TYPE 2.8 0.2 C 1.5 0.65+0.1 0.15 B R1 2 R2 E 3 1 Complementary to FN1A4M ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Collector to Base Voltage VCBO 60 V Marking Collector to Emitter Voltage VCEO
Otros transistores... F124 , F124A , F2 , F3 , F4 , F5 , FA1A3Q , FA1A4M , BDT88 , FA1A4Z , FA1F4M , FA1F4N , FA1F4Z , FA1L3M , FA1L3N , FA1L4L , FA1L4M .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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