FA1A4P - описание и поиск аналогов

 

FA1A4P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FA1A4P

Маркировка: L34

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FA1A4P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FA1A4P даташит

 ..1. Size:169K  nec
 fa1a4p.pdf pdf_icon

FA1A4P

 9.1. Size:149K  nec
 fa1a4z.pdf pdf_icon

FA1A4P

 9.2. Size:33K  nec
 fa1a4m.pdf pdf_icon

FA1A4P

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR FA1A4M MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD PACKAGE DIMENSIONS FEATURES in millimeters Resistors Built-in TYPE 2.8 0.2 C 1.5 0.65+0.1 0.15 B R1 2 R2 E 3 1 Complementary to FN1A4M ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Collector to Base Voltage VCBO 60 V Marking Collector to Emitter Voltage VCEO

Другие транзисторы: F124, F124A, F2, F3, F4, F5, FA1A3Q, FA1A4M, BDT88, FA1A4Z, FA1F4M, FA1F4N, FA1F4Z, FA1L3M, FA1L3N, FA1L4L, FA1L4M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.