FC110 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FC110

Código: 110

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT223

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FC110 datasheet

 ..1. Size:49K  sanyo
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FC110

Ordering number EN3078 FC110 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k ) unit mm Composite type with 2 transistors contained in the 2067 CP package currently in use, improving the mount- [FC110] ing efficiency greatly. The FC110 is formed with two chips, being equiva-

 0.1. Size:230K  ixys
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FC110

IXFC 110N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TM trr 150 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ

Otros transistores... FBC738, FBN36485, FC100M, FC105, FC106, FC107, FC108, FC109, 2N3906, FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120