FC110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC110

Маркировка: 110

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для FC110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC110 даташит

 ..1. Size:49K  sanyo
 fc110.pdf pdf_icon

FC110

Ordering number EN3078 FC110 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k ) unit mm Composite type with 2 transistors contained in the 2067 CP package currently in use, improving the mount- [FC110] ing efficiency greatly. The FC110 is formed with two chips, being equiva-

 0.1. Size:230K  ixys
 ixfc110n10p.pdf pdf_icon

FC110

IXFC 110N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TM trr 150 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ

Другие транзисторы: FBC738, FBN36485, FC100M, FC105, FC106, FC107, FC108, FC109, 2N3906, FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120