Биполярный транзистор FC110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC110
Маркировка: 110
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
FC110 Datasheet (PDF)
fc110.pdf
Ordering number:EN3078FC110NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2067CP package currently in use, improving the mount-[FC110]ing efficiency greatly. The FC110 is formed with two chips, being equiva-
ixfc110n10p.pdf
IXFC 110N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TMtrr 150 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050