FC112 Todos los transistores

 

FC112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC112
   Código: 112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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FC112 Datasheet (PDF)

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FC112

Ordering number:EN3080FC112NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2066CP package currently in use, improving the mount-[FC112]ing efficiency greatly. The FC112 is formed with two chips, being equiva-

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