FC112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FC112

Código: 112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT223

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FC112 datasheet

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FC112

Ordering number EN3080 FC112 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k ) unit mm Composite type with 2 transistors contained in the 2066 CP package currently in use, improving the mount- [FC112] ing efficiency greatly. The FC112 is formed with two chips, being equiva-

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