FC112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC112

Маркировка: 112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для FC112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC112 даташит

 ..1. Size:49K  sanyo
 fc112.pdf pdf_icon

FC112

Ordering number EN3080 FC112 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k ) unit mm Composite type with 2 transistors contained in the 2066 CP package currently in use, improving the mount- [FC112] ing efficiency greatly. The FC112 is formed with two chips, being equiva-

Другие транзисторы: FC100M, FC105, FC106, FC107, FC108, FC109, FC110, FC111, TIP31C, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120, FC156, FC157