Справочник транзисторов. FC112

 

Биполярный транзистор FC112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FC112
   Маркировка: 112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FC112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  sanyo
 fc112.pdf pdf_icon

FC112

Ordering number:EN3080FC112NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorSwitching ApplicationsFeatures Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=22k , R2=22k )unit:mm Composite type with 2 transistors contained in the2066CP package currently in use, improving the mount-[FC112]ing efficiency greatly. The FC112 is formed with two chips, being equiva-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: H1270 | 2SC3060 | TA2307 | NB112EY | KA4A4L | BCP882 | DDTA114TCA

 

 
Back to Top

 


 
.